模型权重常驻
参数规模增长后,全部权重放入昂贵的高速内存并不总是经济。HBF 可承担更大的近计算权重容量。

HBF · HIGH BANDWIDTH FLASH
HBF 不是把普通 SSD 简单变快,也不是对 HBM 的一比一替代。它试图在极高速内存与高容量存储之间,建立更靠近计算、并行度更高、容量可扩展的新数据层级。
01 · DEFINITION
HBF(High Bandwidth Flash,高带宽闪存)是一种面向 AI 推理的新型闪存架构方向:以 NAND Flash 的密度和非易失性为基础,通过高并行数据通路、先进封装与近计算连接,提高大容量数据进入计算单元的效率。
SK hynix 与 Sandisk 将其定位为 HBM 与 SSD 之间的新内存层级。对推理系统而言,关键价值不是单一峰值参数,而是让模型权重、长上下文 KV Cache 与 MoE 专家参数以更合理的成本和功耗靠近计算。
02 · COMPARISON
| 维度 | HBM | HBF | SSD |
|---|---|---|---|
| 基础介质 | DRAM | NAND Flash | NAND Flash |
| 核心目标 | 极高带宽、低延迟 | 容量与带宽协同 | 通用高容量存储 |
| 系统位置 | 紧邻加速器 | 靠近计算的容量层 | PCIe/NVMe 存储层 |
| 适合数据 | 最热张量、活跃 KV | 权重、专家参数、温热 KV | 检查点、数据集、冷数据 |
| 关系 | 三者更适合组成分层系统,而不是只选择其中一种。 | ||
03 · AI INFERENCE
参数规模增长后,全部权重放入昂贵的高速内存并不总是经济。HBF 可承担更大的近计算权重容量。
长上下文与并发请求推动 KV Cache 持续增长。冷热分层可将最活跃数据保留在高速层,其余放入容量层。
MoE 每次只激活部分专家,却需要容纳完整专家集合。高容量近计算存储有助于降低专家换入换出的距离。
把存储、互连、计算和模型联合设计,目标是减少跨层传输造成的时延与能耗,而非只追求单点算力。
REEXEN · MEMORY–PROCESSOR–MODEL
九天睿芯以 SRAM 存算一体作为计算底座,并探索 HBF、TSV、Hybrid Bonding 与系统软件的协同,让容量、带宽和算力围绕真实模型的数据访问模式共同优化。
04 · FAQ
HBF 是 High Bandwidth Flash 的缩写,中文通常译为高带宽闪存。它以 NAND Flash 的高密度、非易失容量为基础,通过更宽的数据通路、堆叠封装和更靠近处理器的系统位置,提高面向 AI 推理的数据供给能力。
HBM 基于 DRAM,优势是极高带宽和低延迟,适合承载最热的数据;HBF 基于 NAND Flash,更强调大容量、非易失和成本可扩展性。行业更常把 HBF 视为 HBM 与 SSD 之间的新存储层级,而不是简单替代 HBM。
普通 SSD 通常通过 PCIe/NVMe 与处理器连接,面向通用块存储;HBF 的目标是把闪存以更高并行度、更短数据路径和更贴近计算的形态接入 AI 系统。具体接口、带宽和封装方式会随产业标准与产品实现而变化。
大模型推理需要持续读取模型权重、MoE 专家参数,并维护不断增长的 KV Cache。HBF 可作为容量层,与片上 SRAM、HBM/DRAM 和 SSD 协同,通过冷热数据分层减少远距离数据搬运。
九天睿芯以 SRAM 存算一体为计算底座,探索 HBF、先进垂直互连与系统软件的协同设计,让模型权重、KV Cache 和计算单元处于更短的数据路径中,面向边缘、端云协同和云端大模型推理。
CONTACT · HBF TECHNICAL DISCUSSION
为了更快进入有效讨论,建议同时提供模型参数规模、上下文长度与并发目标,以及当前使用的 HBM、DRAM 或 SSD 容量配置。
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